继9月1日预告推出DiaFlux™热级CVD金刚石散热片后，韩国射频与微波半导体企业RFHIC于近期正式发布该产品系列，并同步上线完整产品规格。

十年前牵手Element Six，如今RFHIC推出金刚石散热

DiaFlux™定位于热级多晶CVD金刚石散热片，主要面向高功率RF、微波、光电子及半导体封装。RFHIC认为，随着高功率芯片尺寸持续缩小，单位面积热流密度不断提升，传统热扩散材料可能成为限制器件功率密度和整体性能的瓶颈。

此次首先推出DiaFlux™ 150和DiaFlux™ 180两个等级。其中，DiaFlux™ 150属于标准热导等级，25℃下热导率达到1500 W/m·K；DiaFlux™ 180则属于高性能热导等级，25℃热导率达到1800 W/m·K，针对热管理要求更高的应用。

从材料体系来看，两款产品均采用等离子体辅助化学气相沉积（CVD）制备，为立方结构多晶金刚石，同时具有电绝缘特性。这使其不仅可以承担高热流扩散任务，也适合应用于对电绝缘存在要求的功率器件及先进封装场景。

在产品规格方面，两种等级采用统一的尺寸和结构体系。产品厚度包括200、350和500 μm，厚度公差为±20 μm；圆形规格覆盖直径3—100 mm，方形规格覆盖3×3 mm至70×70 mm，同时支持定制几何形状。

加工精度方面，DiaFlux™采用激光切割边缘，边缘特征尺寸小于0.2 mm，横向尺寸公差控制在±0.2 mm，表面粗糙度Ra小于20 nm。产品形态则覆盖板材、芯片、热扩散片和晶圆，可根据不同封装及器件结构进行定制。

值得关注的是，150和180两个等级在机械规格上完全一致。这意味着客户选择不同热导等级时，不需要改变原有机械设计，主要根据器件的热性能需求进行材料选择。对于已经完成封装设计的客户而言，这种产品体系有利于降低材料升级带来的结构调整成本。

从目前RFHIC公布的应用方向来看，DiaFlux™的市场范围已经明显超出传统GaN射频。DiaFlux™ 150可用于AI半导体、GaN RF器件、SiC功率模块、激光二极管以及RF功率器件等热管理；DiaFlux™ 180则进一步瞄准AI加速器、高功率GaN HEMT、RF与微波器件、SiC功率电子及高功率激光器。

这也意味着，RFHIC正在把金刚石热管理从过去的GaN-on-Diamond器件技术探索，进一步拓展至更广泛的芯片封装和功率电子领域。事实上，RFHIC此前就已经在GaN-on-Diamond方向进行了多年布局，公司CTO曾公开表示，RFHIC在2017年从Element Six获得GaN-on-Diamond相关IP，并在2019年展示GaN-on-Diamond晶体管。

尤其值得关注的是，RFHIC并没有将DiaFlux™限定在单一RF市场，而是直接将AI半导体、先进封装、SiC功率电子等纳入产品应用范围。目前其官网已经建立独立的Diamond Materials产品页面，并将CVD金刚石材料定义为面向高功率电子、RF、光电子和先进热管理的产品组合。

从2017年获得Element Six的GaN-on-Diamond相关IP，到2019年展示GaN-on-Diamond晶体管，再到如今推出1500 W/m·K和1800 W/m·K两档CVD金刚石散热产品，RFHIC的技术路线正在发生变化：金刚石不再只是GaN器件中的潜在热管理层，而开始成为可以独立销售、标准化规格、面向多种高功率芯片的热管理产品。

这或许正是此次DiaFlux™正式上线更值得关注的地方。对于金刚石产业而言，真正的增量并不只来自某一家企业推出新品，而在于越来越多下游功率器件和高算力芯片厂商开始把CVD金刚石从“材料储备技术”转变为实际封装设计中的热管理选项。随着产品规格、尺寸和加工能力进一步标准化，金刚石散热片有望从小众高端应用向更多高热流密度场景延伸。